Intel y Micron han desarrollado un nuevo chip que combina memoria y almacenamiento de datos en uno.

(CNNMoney) – Intel y Micron dicen que poseen un nuevo chip para computadora que hará que tus dispositivos sean significativamente más rápidos, más durables y capaces de almacenar mucha más información.

Si estas afirmaciones se mantienen, el nuevo chip podría servir como un logro trascendental para la industria de la computación, marcando el inicio de una ola de nuevos dispositivos.

La nueva tecnología, llamada 3D XPoint, fue desarrollada combinando una memoria para computadoras (RAM) y almacenamiento de datos (disco duro o una memoria USB) dentro de un solo chip.

Al colocar estos dos elementos tan juntos, Intel y Micron dicen que los dispositivos que funcionen con 3D XPoint serán 1.000 veces más rápidos y duraderos. También serán capaces de almacenar hasta 10 veces más información que aquellos dispositivos que utilizan las actuales memorias USB… y ocuparán la misma cantidad de espacio.

Las compañías afirman que el nuevo chip es tan rápido, que si pudieras conducir a la velocidad de su lectura y escritura, serías capaz de condensar un viaje de una hora en menos de cuatro segundos. Y puesto que los chips de memoria son 1.000 veces más duraderos, la vida útil de los dispositivos también será mucho más larga.

Además, todo eso es posible porque el nuevo chip tiene una estructura de rejilla cúbica que no utiliza transistores.

Los chips de memoria de hoy en día utilizan transistores en cada una de sus celdas para escribir y obtener acceso a la información. La estructura 3D XPoint elimina los transistores ya que puede enviar diferentes voltajes a través de cada cable para comunicarse con cada celda de memoria.

“Durante décadas, la industria ha buscado diferentes formas de reducir los retrasos de tiempo entre el procesador y la información para permitir un análisis mucho más rápido”, dijo el vicepresidente senior de Intel, Rob Crooke, en un comunicado. “El 3D XPoint logra este objetivo y ofrece un rendimiento innovador para las soluciones de memoria y almacenamiento”.